Diodes Inc. DMP3085LSS-13
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-05-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
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Diodes Inc.DMC3025LSD-13
Dual N/P-Channel 30 V 32/85 mOhm 4.6/5.1 nC 1.2 W Silicon SMT Mosfet SOIC-8
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Single N-Channel 30 V 31 mOhm 6 nC 1.4 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
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N-Channel 30 V 11.9 mOhm Surface Mount Schottky Diode Mosfet - SOIC-8
InfineonIRF8113GPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 17.2A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Co
NXP SemiconductorsPSMN010-25YLC,115
Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
NXP SemiconductorsPSMN012-25YLC,115
Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descrições
Descrições de Diodes Inc. DMP3085LSS-13 fornecidas pelos seus distribuidores.
Mosfet, P-Ch, 30V, 3.8A, Soic Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP3085LSS-13
Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin SO T/R
MOSFET P-CH 30V 3.8A ENHANCEMENT SOIC8
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, P-CH, 30V, 3.8A, SOIC;
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.8 A
Drain to Source Resistance70 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance563 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.6 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Rds On Max70 mΩ
Rise Time5 ns
Turn-Off Delay Time31 ns
Turn-On Delay Time4.8 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.95 mm
Width3.95 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade