Diodes Inc. DMS3015SSS-13
$ 0.207
NRND
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | DMS3015SSS-13 | 2.500 | 2500 | |||||||||
| DigiKey | DMS3015SSS-13DICT-ND | 39.672 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | DMS3015SSS-13 | 0 | 2500 | 2d | ||||||||
| Farnell | DMS3015SSS-13 | 0 | 5 | Cut Tape | 22h | |||||||
| Win Source | WS-110017 | 35.900 | 200 | 22h |
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Tendência de 3 meses: -2.94%
Modelos CAD
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0 peça disponível
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-06-23
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.DMG4406LSS-13
Single N-Channel 30 V 2 W 12.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
Diodes Inc.DMG4407SSS-13
1.45W(Ta) 25V 3V@ 250¦ÌA 20.5nC@ 10 V 1P 30V 11m¦¸@ 12A,20V 9.9A 2.246nF@15V SOIC-8 1.75mm
Descrições
Descrições de Diodes Inc. DMS3015SSS-13 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel 30 V 11.9 mOhm Surface Mount Schottky Diode Mosfet - SOIC-8
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0119ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Mosfet,+Sch,n Channel,30V,11A,so8; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:11A; On Resistance Rds(On):0.0085Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V Rohs Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance11.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.276 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.55 W
Rds On Max11.9 mΩ
Rise Time27.8 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.5 V
Turn-Off Delay Time29.7 ns
Turn-On Delay Time15.8 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.95 mm
Width3.95 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade