Diodes Inc. DMP1245UFCL-7
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Production
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMP1245UFCL-7 | 2.900 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | DMP1245UFCL-7DICT-ND | 1.789 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMP1245UFCL-7 | 0 | 1 | 12h | ||||||||
| Avnet | DMP1245UFCL-7 | 0 | 3K | 2d | ||||||||
| Arrow Electronics | DMP1245UFCL-7 | 0 | 3K |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Peças relacionadas
Diodes Inc.DMN1150UFB-7B
Mosfet, N-Ch, 12V, 1.41A, X1-Dfn1006 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN1150UFB-7B
onsemiNUS5531MTR2G
Small Signal MOSFET 12V 5.7A 40mOhm Single P-Channel DFN8 with Single Charging BJT
Descrições
Descrições de Diodes Inc. DMP1245UFCL-7 fornecidas pelos seus distribuidores.
Mosfet, P-Ch, 12V, 6.6A, X1-Dfn1616 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP1245UFCL-7
Power MOSFET, P Channel, 12 V, 6.6 A, 0.025 ohm, X1-DFN1616, Surface Mount
Trans MOSFET P-CH 12V 6.6A Automotive 7-Pin DFN EP T/R
12V 6.6A 613mW 29mΩ@4.5V,4A 950mV@250uA P Channel X1-DFN1616-6 MOSFETs ROHS
MOSFETs 12V P-CH ENH MOSFET LOW RDSon High PERF
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 12V VDS, 8±V VGS
Diodes Inc SCT
Small Signal Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
613mW(Ta) 8V 950mV@ 250¦ÌA 26.1nC@ 8 V 1P 12V 29m¦¸@ 4A,4.5V 6.6A 1.3574nF@10V 1.6mm*1.6mm*500¦Ìm
MOSFET, P-CH, 12V, 6.6A, X1-DFN1616;
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDFN
Contact PlatingGold
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage-12 V
Drain to Source Resistance29 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time217.64 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance1.3574 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.7 W
Min Breakdown Voltage12 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max29 mΩ
Rise Time33.11 ns
Turn-Off Delay Time219.4 ns
Turn-On Delay Time15.2 ns
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade