Diodes Inc. DMN1150UFB-7B
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-02-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.DMN2250UFB-7B
Mosfet, N-Ch, 20V, 1.35A, X1-Dfn1006 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN2250UFB-7B
Diodes Inc.DMN2300UFB-7B
Single N-Channel 20 V 360 mOhm 0.89 nC 1.2 W Silicon SMT Mosfet - UFDFN-3
Descrições
Descrições de Diodes Inc. DMN1150UFB-7B fornecidas pelos seus distribuidores.
Mosfet, N-Ch, 12V, 1.41A, X1-Dfn1006 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN1150UFB-7B
Single N-Channel 12 V 210 mOhm 1.5 nC 0.5 W Silicon SMT Mosfet - UFDFN-3
Trans MOSFET N-CH 12V 1.41A 3-Pin X1-DFN T/R
12V 1.41A 500mW 150mΩ@4.5V,1A N Channel DFN-3(0.6x1) MOSFETs ROHS
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.41A I(D), 12V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFETs 12V 1.00 x 0.60mm SMT X1-DFN1006-3 1.41A N-Channel
MOSFET, N-CH, 12V, 1.41A, X1-DFN1006;
MOSFET N-channel 12V 1.4A DFN1006-3
N-Channel Mosfet, 12V VDS, 6±V VGS
Diodes Inc SCT
N-CH 12V 1,41A 150mOhm at 4,5V
DiodesZetex NMOS, Vds=12 V, 1.4 A, X1-DFN1006, , 3
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -38.55%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.41 A
Drain to Source Breakdown Voltage12 V
Drain to Source Resistance210 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)6 V
Input Capacitance106 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Breakdown Voltage12 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max150 mΩ
Rise Time34.5 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time57 ns
Turn-On Delay Time4.1 ns
Dimensions
Height480 µm
Length1.08 mm
Width675 µm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade