Diodes Inc. DMNH10H028SK3-13
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | DMNH10H028SK3-13 | 0 | 2500 | 4h | ||||||||
| Avnet | DMNH10H028SK3-13 | 0 | 2500 | 3d | ||||||||
| Arrow Electronics | DMNH10H028SK3-13 | 0 | 2500 | |||||||||
| Mouser | 621-DMNH10H028SK3-13 | 2.465 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Component Stockers USA | DMNH10H028SK3-13 | 58.502 | 6d |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-10-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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InfineonIPD122N10N3GATMA1
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STMicroelectronicsSTD47N10F7AG
Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0125 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package
Descrições
Descrições de Diodes Inc. DMNH10H028SK3-13 fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET N-CH 100V 55A TO252 / N-Channel 100 V 55A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Trans MOSFET N-CH 100V 55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
100V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 100 V, RoHS
Diodes Inc SCT
2W(Ta) 20V 3.3V@ 250¦ÌA 36nC@ 10 V 1N 100V 28m¦¸@ 20A,10V 55A 2.245nF@50V TO-252-3 6.58mm*6.1mm*2.29mm
Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 100V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)55 A
Drain to Source Resistance28 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Input Capacitance2.245 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation3.7 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max28 mΩ
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