Diodes Inc. DMN67D8LW-13
$ 0.052
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | DMN67D8LW-13DICT-ND | 208.069 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | DMN67D8LW-13 | 40.000 | 10K | |||||||||
| Verical | DMN67D8LW-13 | 40.000 | 10K | |||||||||
| TME | DMN67D8LW-13 | 0 | 10K | 13h | ||||||||
| Avnet | DMN67D8LW-13 | 0 | 10K | 1d |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Descrições
Descrições de Diodes Inc. DMN67D8LW-13 fornecidas pelos seus distribuidores.
DMN67D8LW Series 60 240 mA N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-323
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 0.24A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 0.24A, 60V; Transistor Polarity: N Channel; Drain Source Voltage Vds: 60V; Continuous Drain Current Id: 240mA; On Resistance Rds(on): 1.5ohm; Transistor Mounting: Surface Mount; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-323
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)240 mA
Drain to Source Resistance5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Input Capacitance22 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation470 mW
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max5 Ω
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