Diodes Inc. DMN601WKQ-7
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Production
Preço e estoque
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Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMN601WKQ-7 | 11 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | DMN601WKQ-7 | 3.000 | 3K | |||||||||
| DigiKey | DMN601WKQ-7DICT-ND | 7.152 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN601WKQ-7 | 0 | 1 | 5h | ||||||||
| Avnet | DMN601WKQ-7 | 0 | 3K | 2d |
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Modelos CAD
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0 peça disponível
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | Baixar | |
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
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InfineonSN7002WH6327XTSA1
Single N-Channel 60 V 5 Ohm 1 nC SIPMOS® Small Signal Mosfet - SOT-323
Descrições
Descrições de Diodes Inc. DMN601WKQ-7 fornecidas pelos seus distribuidores.
Mosfet, N-Ch, 60V, 0.3A, Sot-323 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN601WKQ-7
200mW(Ta) 20V 2.5V@1mA 1N 60V 2¦¸@ 500mA,10V 300mA 50pF@25V SOT-323 2.15mm*1.3mm*950¦Ìm
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-323
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)300 mA
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance50 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation200 mW
Rds On Max2 Ω
Dimensions
Height1 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
RatingsAEC-Q101 , IATF 16949
REACH SVHCYes
RoHSCompliant