Diodes Inc. DMN65D8LQ-13
$ 0.045
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMN65D8LQ-13 | 8.930 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | 31-DMN65D8LQ-13CT-ND | 1.950 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN65D8LQ-13 | 0 | 10K | 19h | ||||||||
| Avnet | DMN65D8LQ-13 | 0 | 10K | 7h | ||||||||
| Arrow Electronics | DMN65D8LQ-13 | 0 | 10K |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-10-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
Descrições
Descrições de Diodes Inc. DMN65D8LQ-13 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Mosfet, N-Ch, 60V, 0.31A, Sot-23 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN65D8LQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R 10K
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.27A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -27.35%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)270 mA
Drain to Source Resistance4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Input Capacitance22 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation540 mW
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max3 Ω
Fichas técnicas e documentos
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