Diodes Inc. DMN67D8L-7
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-09-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.2N7002AQ-7
MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23 / N-Channel 60 V 180mA (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
InfineonSN7002NH6327XTSA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 200 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Surface Mount
onsemiMMBF170LT3
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 500mA Ta 500mA 225mW 10ns
Descrições
Descrições de Diodes Inc. DMN67D8L-7 fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 60 V 7.5 Ohm 821 nC 570 W Silicon Mosfet - SOT-23
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SOT23 VDS=60V VGS=±30V ID=230mA
Mosfet, N-Ch, 60V, 0.23A, Sot-23 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN67D8L-7
Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
40V +175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30±V VGS
Diodes Inc SCT
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R 3K
MOSFET, N-CH, 60V, 0.23A, SOT-23;
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.21A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -60.33%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)210 mA
Drain to Source Resistance5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Input Capacitance22 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation340 mW
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max5 Ω
Schedule B8541210080
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