Diodes Inc. DMP3056LSD-13
$ 0.338
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMP3056LSD-13 | 854 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | DMP3056LSD-13 | 2.500 | 2500 | |||||||||
| Verical | DMP3056LSD-13 | 2.500 | 2500 | |||||||||
| TME | DMP3056LSD-13 | 1.521 | 1 | 3h | ||||||||
| DigiKey | DMP3056LSD-13DICT-ND | 5.936 | 1 | Cut Tape |
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -11.91%
Modelos CAD
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Peças alternativas
0 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Peças relacionadas
Descrições
Descrições de Diodes Inc. DMP3056LSD-13 fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor MOSFET Array Dual P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
Mosfet, Dual, P-Ch, 30V, 6.9A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP3056LSD-13
DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 30V, 0.045ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SO-8 Polarity: P/P Variants: Enhancement mode Power dissipation: 2.5 W
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Histórico de estoque
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Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOP
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance45 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Fall Time14.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance722 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max45 mΩ
Rise Time5.3 ns
Turn-Off Delay Time26.5 ns
Turn-On Delay Time6.4 ns
Dimensions
Height1.7 mm
Length5.3 mm
Width4.1 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade