Diodes Inc. BSS84Q-7-F
$ 0.079
Production
Preço e estoque
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Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | BSS84Q-7-F | 39.000 | 3K | 2d | ||||||||
| DigiKey | 31-BSS84Q-7-FCT-ND | 106 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | BSS84Q-7-F | 7 | 1 | 10h | ||||||||
| Newark | BSS84Q-7-F | 0 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | BSS84Q-7-F | 0 | 3K | Tape & Reel |
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0 peça disponível
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Descrições
Descrições de Diodes Inc. BSS84Q-7-F fornecidas pelos seus distribuidores.
P-Channel 50 V 0.13 A 300 mW Automotive Enhancement Mode Mosfet - SOT-23
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
BSS FAMILY SOT23 T&R 3K / P-Channel 50 V 130mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
300mW(Ta) 20V 2V@1mA 0.59nC@ 10 V 1P 50V 10¦¸@ 100mA,5V 130mA 45pF@25V SOT-23-3 2.9mm*1.3mm*1.03mm
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 50V VDS, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -23.28%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)130 mA
Drain to Source Resistance10 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Breakdown Voltage50 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation300 mW
Schedule B8541210080
Fichas técnicas e documentos
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