Diodes Inc. 2DB1386R-13
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-11-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 7 months ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.FCX1147ATA
Trans GP BJT PNP 12V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R / TRANS PNP 12V 3A SOT-89
onsemi2SB1121T-TD-E
Bipolar Transistor, -50V, -10A, Low VCE(sat), PNP TO-220F-3FS Bipolar Transistor, -50V, -10A
ROHM2SAR554PT100
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
ROHMBCX53-16T100
PNP TYPE TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Descrições
Descrições de Diodes Inc. 2DB1386R-13 fornecidas pelos seus distribuidores.
2DB13 Series PNP 1 W 20 V 5 A Surface Mount Power Transistor - SOT-89
Small Signal Bipolar Transistor, 0.005A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
1V@ 100mA,4A PNP 1W 6V 500nA 30V 20V 5A SOT-89-3 SMD mount 4.5mm*2.48mm*1.5mm
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage Max:20V; Continuous Collector Current:5A; Power Dissipation:1W; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:4Pins; Transition Frequency:100Mhz; Dc Current Gain Hfe Min:180Hfe Rohs Compliant: No |Diodes Inc. 2DB1386R-13.
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Histórico de estoque
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-89-3
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight130.492855 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage20 V
Collector Emitter Saturation Voltage-250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)20 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-6 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min180
Max Breakdown Voltage20 V
Max Collector Current5 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
PolarityPNP
Power Dissipation1 W
Transition Frequency100 MHz
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.5 mm
Width2.48 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade