Central Semiconductor 2N3716
Obsolete
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Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Central Semiconductor 2N3716.
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Peças alternativas
Price @ 1000
$ 54.4
Stock
102
59,991
Authorized Distributors
0
3
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-3
TO-3
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
-
Max Collector Current
10 A
10 A
Transition Frequency
4 MHz
-
Collector Emitter Saturation Voltage
800 mV
-
hFE Min
30
-
Power Dissipation
150 W
5 W
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1981-11-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
Descrições
Descrições de Central Semiconductor 2N3716 fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar Power Transistor NPN Amplifier/Switch 10A 80V 2-Pin TO-3 Through Hole Bag
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin
Trans GP BJT NPN 80V 10A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve
2N Series 80 V 10 A NPN Flange Mount Silicon Transistor - TO-3
Bipolar Transistors - BJT NPN GP Power
Nomes alternativos do fabricante
Central Semiconductor possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Central Semiconductor também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- CENTRAL SEMI
- CENTRAL
- Central Semiconductor Corp
- CSC
- CEN
- CENTRAL SEMICONDUCTO
- CENT
- CENTRAL SEMICONDUCTORS
- CENTRALSEM
- Central Semicon
- CENT SEMI
- CNTRALSEMI
- CENTRAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
- CTLSEM
- CENTRAL SEMICOND
- CENTRAL SEMICONDUCTORS CORP
- Central Semiconductor Cor
- Central Semiconductor Inc
- CENTRAL SEMICONDUC
- CENTAL SEMI
- CENTRAL SEMI INC
- CENTILLIUM COMMUNICATIONS INC
- CENTRAL SEMI-CONDU
- NPN Central Semi
- CENTRAL SEMIN
- Central Semiconductor Corp.
Histórico de estoque
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Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Body MaterialMetal
Case/PackageTO-3
MountThrough Hole
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage800 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Fall Time400 ns
Frequency4 MHz
Gain Bandwidth Product4 MHz
hFE Min30
Max Collector Current10 A
Max Operating Temperature200 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation150 W
Rise Time400 ns
Transition Frequency4 MHz
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Central Semiconductor 2N3716.
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RoHSNon-Compliant
Declarações de conformidade