Alpha & Omega Semiconductor AOD4189
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N-channel 30 V, 0.038 Ohm, 17 A STripFET(TM) II Power MOSFET in DPAK package
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N-channel 30 V, 0.038 Ohm typ., 17A STripFET(TM) II Power MOSFET in a DPAK package
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N-channel 800 V, 13 Ohm typ., 1 A SuperMESH Zener protected Power MOSFET in a DPAK package
Descrições
Descrições de Alpha & Omega Semiconductor AOD4189 fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -40A; 0.022ohm; 62.5W; -55+175 deg.C; SMD; TO252(DPAK)
Trans MOSFET P-CH 40V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK / MOSFET P-CH 40V 40A TO252
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 40V, 0.022ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Nomes alternativos do fabricante
Alpha & Omega Semiconductor possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Alpha & Omega Semiconductor também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ALPHA & OMEGA
- Alpha & Omega Semiconductor Inc
- AOS
- Alpha and Omega Semiconductor
- ALPHA AND OMEGA
- ALPHA & OMEGA SEMI
- Alpha and Omega Semiconductor Inc
- Alpha & Omega Semicon
- ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR LTD
- Alpha & Omega Semiconductors
- Alpha & Omega Semic
- ALPHAO
- ALPHA & OMEGA SEMICONDUCT
- ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR (HONG KONG)LTD
- Alpha & Omega Semiconductors (AOS)
- ALPHA & OMEGA SEMICO
- ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC (VA)
- ALPHA & OM
- Alpha and Omega Computer
- Alpha & Omega Semiconductor Inc (Conflict Mineral -UN-confirmed)
- Alpha & Omega Semiconducto
- Alpha & Omega Semiconductor(AOS)
- ALPHA & OMEGA07K
- AOSC
- Alpha Semiconductor
- Alpha and Omega Semiconductor
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +71.37%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Drain to Source Breakdown Voltage-40 V
Drain to Source Resistance22 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-40 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.87 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max22 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1.7 V
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height2.6 mm
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