Alpha & Omega Semiconductor AO3409
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-06-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.DMN3404L-7
N-Channel 30 V 28 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
InfineonBSS306NH6327XTSA1
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.041ohm; 0.5W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
Descrições
Descrições de Alpha & Omega Semiconductor AO3409 fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.6A; 0.110ohm; 1.4W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
Trans MOSFET P-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23
30 V P-CHANNEL MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Nomes alternativos do fabricante
Alpha & Omega Semiconductor possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Alpha & Omega Semiconductor também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ALPHA & OMEGA
- Alpha & Omega Semiconductor Inc
- AOS
- Alpha and Omega Semiconductor
- ALPHA AND OMEGA
- ALPHA & OMEGA SEMI
- Alpha and Omega Semiconductor Inc
- Alpha & Omega Semicon
- ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR LTD
- Alpha & Omega Semiconductors
- Alpha & Omega Semic
- ALPHAO
- ALPHA & OMEGA SEMICONDUCT
- ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR (HONG KONG)LTD
- Alpha & Omega Semiconductors (AOS)
- ALPHA & OMEGA SEMICO
- ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC (VA)
- ALPHA & OM
- Alpha and Omega Computer
- Alpha & Omega Semiconductor Inc (Conflict Mineral -UN-confirmed)
- Alpha & Omega Semiconducto
- Alpha & Omega Semiconductor(AOS)
- ALPHA & OMEGA07K
- AOSC
- Alpha Semiconductor
- Alpha and Omega Semiconductor
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +11.74%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance110 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance370 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.4 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.4 W
Rds On Max130 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time11.8 ns
Turn-On Delay Time7.5 ns
Dimensions
Height1.25 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant