Infineon IRFH5006TRPBF
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Obsolete
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | IRFH5006TRPBF | 4.000 | 4K | |||||||||
| Chip One Stop | IRFH5006TRPBF | 3.558 | 1 | Cut Tape | 3d | |||||||
| Rochester Electronics | IRFH5006TRPBF | 532 | 2h | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | 70019264 | 0 | 5 | Bulk | 19h | |||||||
| Farnell | 2577172 | 0 | 1 | Cut Tape | 2h |
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6
1
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
QFN
QFN
QFN
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
21 A
21 A
21 A
Threshold Voltage
2 V
4 V
4 V
Rds On Max
4.1 mΩ
4.1 mΩ
4.1 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
3.6 W
-
-
Input Capacitance
4.175 nF
4.175 nF
4.175 nF
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Descrições
Descrições de Infineon IRFH5006TRPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
INFINEON IRFH5006TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 21 A, 60 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 VNew
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The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
- INFINEON TECHNO
- Infineon Technologies Americas Corp
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageQFN
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)21 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance4.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.175 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance4.1 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation3.6 W
Rds On Max4.1 mΩ
Resistance4.1 MΩ
Rise Time13 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time9.6 ns
Dimensions
Height1.2 mm
Length6.1468 mm
Width5.15 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade