Bison Technologies Memória

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Microwire Serial EEPROM Family, 2.5Vto 5.5V' 2 MHz, -40°Cto 125°C, SOIC-8, RoHS
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Modelos CAD
256B 1.7V~5.5V 256x8 1.6V 5.5V 400KHz 900ns Serial-2Wire 100Year SOP
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Parallel NOR Flash Memory, 128 Mbit Density, 110 ns Initial Access Time, TSOP-56, RoHS
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Modelos CAD
Intel / Altera
EPC1LC20
$ 23,730
Configuration Devices for SRAM-Based LUT Device Configuration Memory
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NOR Flash Parallel 3V/3.3V 256Mbit 32M/16M x 8bit/16bit 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
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Intel / Altera
EPC2LC20
$ 57,680
; Leaded Process Compatible: No; Peak Reflow Compatible (260 C): No ; RoHS Compliant: No
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Kioxia
TC58NVG0S3HTA00
$ 3,058
NAND Flash Parallel 3.3V 1G-bit 128M x 8 48-Pin TSOP-I / IC EEPROM 1GBIT 25NS 48TSOP
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Modelos CAD
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Tray
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Modelos CAD
1Kb£¨256b x 4 £© 11.5V~12V 4Pagesx256 2.65V 20¦ÌA 5.5V Single Wire 1 SOT-23-3 1.12mm
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Modelos CAD
CY7C1347G Series 4 Mb (128 K x 36) 133 MHz 3.3 V Pipelined Sync SRAM - TQFP-100
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