Infineon IPB042N10N3GATMA1

214KW 20V 88NC@ 10V 1N 100V 7.4M¦¸@ 6V, 4.2M¦¸@ 10V 6.32NF@ 50V TO-263 , 10MM*925CM*4.5MM
$ 0.936
Production
제조업체 페이지데이터시트

가격 및 재고

모든 가격 할인 보기
DistributorSKUMinPkg
Newark
2
IPB042N10N3GATMA12,1471Cut Tape
Arrow ElectronicsIPB042N10N3GATMA11,3721
Future Electronics
2
IPB042N10N3GATMA112,0001KTape & Reel
RutronikTMOSP968030,0001K
4h
DigiKey
3
IPB042N10N3GATMA1CT-ND18,6621Cut Tape

데이터시트 및 문서

Infineon IPB042N10N3GATMA1에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

IHS

Datasheet11 페이지15년 전
Datasheet10 페이지0년 전

재고 내역

3개월간의 트렌드:
+11.73%
Powered bySpectra logo

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 Infineon IPB042N10N3GATMA1 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스이캐드엠캐드파일
Component Search Engine
심벌풋프린트
3D다운로드
EE Concierge
심벌풋프린트
SnapEDA
풋프린트
다운로드
캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.
Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

공급망

Country of OriginMalaysia, Mexico, South Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-02-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

관련 부품

VishaySUM110N10-09-E3
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK / MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
세부 사항
InfineonIPB035N08N3GATMA1
214W 20V 3.5V 88nC@ 10V 1N 80V 3.5m¦¸@ 10V 100A 6.1nF@ 40V TO-263 , 10mm*9.25mm*4.4mm
세부 사항
InfineonIPB083N10N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.0072 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
세부 사항
InfineonIPB052N04N G
Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) TO-263
세부 사항
VishaySUM90N10-8M2P-E3
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK / MOSFET N-CH 100V 90A D2PAK
세부 사항
VishaySUM70040E-GE3
VISHAY SUM70040E-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 100 V, 0.0032 ohm, 10 V, 4 V
세부 사항

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IPB042N10N3GATMA1에 대한 설명입니다.

214KW 20V 88nC@ 10V 1N 100V 7.4m¦¸@ 6V,4.2m¦¸@ 10V 6.32nF@ 50V TO-263 , 10mm*925cm*4.5mm
Unikeyic (ICkey)
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Semicontronic
Infineon's 100V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS, PG-TO263-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET, N CH, 100V, 100A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0036ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.7
element14 APAC
Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).
Infineon

이미지

Augswan
TME
TME
RS
Future Electronics
LZChips

제조업체 별칭

Infineon에는 유통업체가 대체하여 사용할 수 있는 전 세계 여러 브랜드가 있습니다. Infineon는 다음 이름으로도 알려져 있습니다:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

부품 번호 별칭

이 부품은 다음과 같은 대체 부품 번호로 알려져 있을 수 있습니다.

  • IPB042N10N3 G
  • IPB042N10N3 GATMA1
  • IPB042N10N3-G
  • IPB042N10N3G
  • SP000446880