Vishay SUM65N20-30-E3

Name: Vishay SUM65N20-30-E3
Brand: Vishay
SKU: SUM65N20-30-E3

SUM65N20 Series 200 V 65 A 30 mOhm Surface Mount N-Channel Mosfet - D2PAK-3

$ 2.528

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Distributor		SKU		Min	Pkg
DigiKey	3	SUM65N20-30-E3CT-ND	1,165	1	Cut Tape	6.700	4.500	3.252	3.252	3.252
Newark		SUM65N20-30-E3	800	1	Cut Tape	5.020	3.340	2.430	2.300	2.300
Future Electronics		SUM65N20-30-E3	5,600	800	Tape & Reel				2.930	2.880
Verical	3	SUM65N20-30-E3	800	800					1.472	1.472
Arrow Electronics	3	SUM65N20-30-E3	4	1		1.487	1.487	1.487	1.487	1.487

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Upverter

Datasheet8 페이지6년 전

RS (Formerly Allied Electronics)

Newark

Farnell

Future Electronics

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EE Concierge	심벌풋프린트

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2001-10-16

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Vishay SUM65N20-30-E3에 대한 설명입니다.

SUM65N20 Series 200 V 65 A 30 mOhm Surface Mount N-Channel Mosfet - D2PAK-3

Future Electronics

Power MOSFET, N Channel, 200 V, 65 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Avnet

Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK / MOSFET N-CH 200V 65A D2PAK

Win Source

Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 200V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

Semicontronic

N CHANNEL MOSFET, 200V, 65A, TO-263; Tra; N CHANNEL MOSFET, 200V, 65A, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:65A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):30mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V

element14 APAC

Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:200V; Continuous Drain Current Id:65A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:375W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Vishay SUM65N20-30-E3.

Newark

MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:65A; Resistance, Rds On:0.03ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Alternate Case Style:D2-PAK; Current, Idm Pulse:140A; Max Repetitive Avalanche Energy:61mJ; Power Dissipation:375W; Power Dissipation on 1 Sq. PCB:3.75W; Power, Pd:375W; Temperature, Tj Max:175°C; Temperature, Tj Min:-55°C; Time, trr Typ:130ns; Typ Capacitance Ciss:5100pF; Voltage, Vds Max:200V; Voltage, Vgs th Max:4V; Voltage, Vgs th Min:2V

Farnell