Vishay SUD50P04-08-GE3

Name: Vishay SUD50P04-08-GE3
Brand: Vishay
SKU: SUD50P04-08-GE3

Power MOSFET, P Channel, 40 V, 50 A, 8.1 MilliOhms, TO-252AA, 3 Pins, Surface Mount

$ 0.815

Production

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	86R4268	4,150	1		2.270	1.540	1.110	0.930	0.930	3d
Newark		SUD50P04-08-GE3	2,568	1	Cut Tape	2.270	1.540	1.110	0.930	0.930
Verical		SUD50P04-08-GE3	3,339	44				0.918	0.871	0.871
Rutronik		TMOSP10521	34,000	2K						0.639	15h
TME	2	SUD50P04-08-GE3	3,339	1		1.930	1.320	0.880	0.760	0.760	7h

재고 내역

3개월 추세: -21.97%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

0개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

Vishay SUD50P04-08-GE3에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

Newark

Datasheet9 페이지6년 전

Datasheet8 페이지10년 전

Datasheet8 페이지11년 전

Upverter

Farnell

element14 APAC

Megastar

재고 내역

3개월간의 트렌드:

-21.97%

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 Vishay SUD50P04-08-GE3 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
Component Search Engine	심벌풋프린트	3D	다운로드

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

공급망

Country of OriginUSA

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2010-02-08

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Vishay SUD50P04-08-GE3에 대한 설명입니다.

Power MOSFET, P Channel, 40 V, 50 A, 8.1 MilliOhms, TO-252AA, 3 Pins, Surface Mount

EBV Elektronik

MOSFET P-CH 40V 50A DPAK / Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Win Source

Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 40V, 0.0081ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

Semicontronic

Mosfet, P Channel, -40V, -50A, To-252-3; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:40V; Continuous Drain Current Id:50A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:1V Rohs Compliant: Yes |Vishay SUD50P04-08-GE3.

Newark