STMicroelectronics STD100N10F7

Name: STMicroelectronics STD100N10F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: STD100N10F7

N-channel 100 V, 0.0068 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package

$ 1.09

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Future Electronics	4	STD100N10F7	15,000	2500	Tape & Reel					1.190
Avnet	2	STD100N10F7	2,500	2500						0.877	3d
Newark		STD100N10F7	25	1	Cut Tape	2.860	2.070	1.670	1.450	1.450
Arrow Electronics	3	STD100N10F7	3,261	1		2.500	1.745	1.334	1.039	0.910
Verical	3	STD100N10F7	12,500	2500						0.881

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IHS

Datasheet30 페이지4년 전

Future Electronics

STMicroelectronics

element14 APAC

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공급망

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2012-10-05

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 STMicroelectronics STD100N10F7에 대한 설명입니다.

N-channel 100 V, 0.0068 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package

STMicroelectronics

In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V, 3-Pin DPAK STMicroelectronics STD100N10F7

Jak Electronics

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.0068 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Avnet

N-Channel 100V 8 mOhm Surface Mount STripFET VII DeepGATE Power Mosfet DPAK

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 100V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

Semicontronic

MOSFET, N-CH, 100V, 80A, TO-252-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 80A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0068ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4.5V; Power Dissipation Pd: 120W; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: DeepGATE STripFET VII Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)

Farnell