Vishay SI7456DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 5.7A Automotive 8-Pin PowerPAK SO T/R
$ 1.46
Obsolete
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DistributorSKUMinPkg
NewarkSI7456DP-T1-GE305Cut Tape
Farnell
3
SI7456DP-T1-GE33,3225Cut Tape
6h
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2
SI7456DP-T1-GE33,3225Cut Tape
19h
Mouser781-SI7456DP-T1-GE31,7711Tape & Reel
Weyland Electronics Group Pte. Ltd.SI7456DP-T1-GE313,8001Tape & Reel
9h

데이터시트 및 문서

Vishay SI7456DP-T1-GE3에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

Farnell

Datasheet11 페이지11년 전

Newark

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Future Electronics

iiiC

재고 내역

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대체 부품
VishaySI7456DP-T1-GE3
VishaySI7456DP-T1-E3
Price @ 1000
$ 1.46
$ 1.818
Stock
535,031
353,213
Authorized Distributors
4
4
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
5.7 A
5.7 A
Threshold Voltage
2 V
2 V
Rds On Max
25 mΩ
25 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
1.9 W
1.9 W
Input Capacitance
-
-

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-08-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-12-21
LTD Date2025-06-21

관련 부품

InfineonIRF7495PBF
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N-Channel Power Trench® MOSFET 100V, 7A, 23mΩ
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VishaySI4896DY-T1-E3
Single N-Channel 80 V 0.0165 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
세부 사항
InfineonIRF7473PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 22Milliohms;ID 6.9A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20
세부 사항
VishaySI7454DP-T1-E3
Single N-Channel 100 V 0.034 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
세부 사항
onsemiFDS3670
MOSFET N-CH 100V 6.3A 8-SOIC
세부 사항

설명

유통업체에서 제공한 Vishay SI7456DP-T1-GE3에 대한 설명입니다.

Trans MOSFET N-CH 100V 5.7A Automotive 8-Pin PowerPAK SO T/R
Verical
1.9W(Ta) 20V 4V@ 250¦ÌA 44nC@ 10 V 1N 100V 25m¦¸@ 9.3A,10V 5.7A 4.9mm*5.89mm*1.04mm
Unikeyic (ICkey)
MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
DigiKey
Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Semicontronic
SENSOR OPT SLOT PHOTOTRAN PCB MT
YIC International
MOSFET, N CH, 100V, 5.7A, PPAK SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.7A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):21mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:1.9W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:5.7A; Power Dissipation Pd:1.9W; Voltage Vgs Max:20V
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이미지

Farnell
Farnell
Newark
Future Electronics
Component Sense
Component Sense
iiiC

제조업체 별칭

Vishay에는 유통업체가 대체하여 사용할 수 있는 전 세계 여러 브랜드가 있습니다. Vishay는 다음 이름으로도 알려져 있습니다:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Polytech
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

부품 번호 별칭

이 부품은 다음과 같은 대체 부품 번호로 알려져 있을 수 있습니다.

  • SI7456DP-T1-GE3.