Vishay SI2371EDS-T1-GE3

Name: Vishay SI2371EDS-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SI2371EDS-T1-GE3

Power MOSFET, P Channel, 30 V, 4.8 A, 0.037 ohm, SOT-23, Surface Mount

$ 0.125

Production

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	SI2371EDS-T1-GE3	2,670	1	Cut Tape	0.762	0.762	0.332	0.151	0.151
Verical		SI2371EDS-T1-GE3	1,802	21				0.060	0.060	0.060
Arrow Electronics		SI2371EDS-T1-GE3	1,802	1		0.079	0.060	0.060	0.060	0.060
CoreStaff		ST63699860	2,888	1		0.186	0.186	0.176	0.120	0.115	4h
TME	2	SI2371EDS-T1-GE3	0	1		0.426*	0.426*	0.280*	0.141*	0.134*	23h

재고 내역

3개월 추세: -13.88%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

0개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

Vishay SI2371EDS-T1-GE3에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

Farnell

Datasheet9 페이지5년 전

Future Electronics

RS (Formerly Allied Electronics)

재고 내역

3개월간의 트렌드:

-13.88%

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 Vishay SI2371EDS-T1-GE3 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
Component Search Engine	심벌풋프린트	3D	다운로드
EE Concierge	심벌풋프린트

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

공급망

Country of OriginGermany

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2013-05-08

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Vishay SI2371EDS-T1-GE3에 대한 설명입니다.

Power MOSFET, P Channel, 30 V, 4.8 A, 0.037 ohm, SOT-23, Surface Mount

EBV Elektronik

1W(Ta),1.7W(Tc) 12V 1.5V@ 250¦ÌA 35nC@ 10 V 1P 30V 45m¦¸@ 3.7A,10V 4.8A 1nF@ 15V SOT-23 1.12mm

UnikeyIC

MOSFET, P-CH, 30V, 4.8A, SOT-23; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:4.8A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:1.5V RoHS Compliant: Yes

Newark

Small Signal Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB

Semicontronic