Diodes Inc. ZXMN3F30FHTA

Name: Diodes Inc. ZXMN3F30FHTA
Brand: Diodes Inc.
SKU: ZXMN3F30FHTA

ZXMN3F30 Series 30 V 0.047 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23

$ 0.227

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	ZXMN3F30FHTA	4,110	5	Cut Tape		0.461	0.298	0.203	0.203
Verical		ZXMN3F30FHTA	12,000	3K						0.145
Arrow Electronics		ZXMN3F30FHTA	12,000	3K						0.145
Future Electronics	2	ZXMN3F30FHTA	6,000	3K	Tape & Reel					0.265
DigiKey	3	ZXMN3F30FHCT-ND	55,345	1	Cut Tape	0.900	0.560	0.363	0.250	0.250

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Newark

Datasheet8 페이지18년 전

IHS

TME

Diodes Inc SCT

Future Electronics

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공급망

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2008-03-04

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Diodes Inc. ZXMN3F30FHTA에 대한 설명입니다.

ZXMN3F30 Series 30 V 0.047 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH 30V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R

Avnet

DiodesZetex NMOS, Vds=30 V, 4.6 A, SOT-23, , 3

UnikeyIC

Small Signal Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

MOSFET N-CHANNEL 30V 4.6A SOT23

RS (Formerly Allied Electronics)

MOSFET, N, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.6A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):47mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:1.4W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:4.6A; On State Resistance @ Vgs = 4.5V:65mohm; On State resistance @ Vgs = 10V:47mohm; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:1.4W; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Min:1V

element14 APAC