Vishay SI2304DDS-T1-GE3

Name: Vishay SI2304DDS-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SI2304DDS-T1-GE3

Single N-Channel 30 V 0.06 Ohm Surface Mount Power MosFet - SOT-23-3

$ 0.142

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Future Electronics		SI2304DDS-T1-GE3	12,000	3K	Tape & Reel					0.175
CoreStaff		ST63699848	2,878	1		0.222	0.222	0.198	0.142	0.137	23h
Verical	3	SI2304DDS-T1-GE3	2,650	18				0.206	0.141	0.106
Arrow Electronics	3	SI2304DDS-T1-GE3	2,650	1		0.533	0.327	0.206	0.141	0.141
TME	2	SI2304DDS-T1-GE3	1,303	1		0.520	0.356	0.215	0.138	0.115	3h

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IHS

Datasheet9 페이지5년 전

Farnell

element14 APAC

Newark

Future Electronics

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공급망

Country of OriginUSA

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2009-09-25

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Vishay SI2304DDS-T1-GE3에 대한 설명입니다.

Single N-Channel 30 V 0.06 Ohm Surface Mount Power MosFet - SOT-23-3

Future Electronics

SI2304DDS-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 3.6 A; 30 V; 3-Pin TO-236

Epart123

Transistor, MOSFET, N-ch, 30V(d-s), 3.3A, SOT23-3, SMD

Sensible Micro

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R

Verical

Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236

IHS

MOSFET,N CH,30V,3.6A,DIODE,SOT23; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.049ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:1.1W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:3.3A; Power Dissipation Pd:1.1W; Voltage Vgs Max:20V

element14 APAC

N Channel Mosfet, 30V, 3.6A, Full Reel; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:3.6A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.2V Rohs Compliant: No |Vishay SI2304DDS-T1-GE3.

Newark