Vishay SI2302CDS-T1-E3

Name: Vishay SI2302CDS-T1-E3
Brand: Vishay
SKU: SI2302CDS-T1-E3

MOSFET, N CH, 20V, 2.6A, SOT-23-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Dra

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NRND

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	69W7186	5,111	1		1.040	1.040	0.434	0.307	0.307	3d
Newark	2	SI2302CDS-T1-E3	5,111	1	Cut Tape	1.040	1.040	0.434	0.307	0.307
Arrow Electronics		SI2302CDS-T1-E3	1,017	1		0.126	0.126	0.126	0.126	0.126
Verical		SI2302CDS-T1-E3	1,017	10			0.126	0.126	0.126	0.126
DigiKey	2	SI2302CDS-T1-E3CT-ND	167	1	Cut Tape	0.710	0.437	0.280	0.191	0.132

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Upverter

Farnell

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

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VishaySI2302CDS-T1-E3

VishaySI2302CDS-T1-GE3

Price @ 1000

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Stock

1,202,308

6,673,560

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-23-3

Drain to Source Voltage (Vdss)

20 V

Continuous Drain Current (ID)

2.6 A

Threshold Voltage

400 mV

850 mV

Rds On Max

57 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

8 V

Power Dissipation

710 mW

Input Capacitance

112 pF

공급망

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2008-07-29

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Vishay SI2302CDS-T1-E3에 대한 설명입니다.

MOSFET, N CH, 20V, 2.6A, SOT-23-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dra

Newark

Single N-Channel 20 V 0.057 Ohm 0.71 W Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R

Verical

N-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET, N CH, 20V, 2.6A, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.6A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.045ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Power Dissipation Pd:710mW; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; MSL:-

Farnell