Vishay IRFD120PBF

Name: Vishay IRFD120PBF
Brand: Vishay
SKU: IRFD120PBF

Single N-Channel 100 V 0.27 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4

$ 0.752

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
CoreStaff	ST63699830	226	1		1.216	1.216	0.808	0.752	0.747	12h
RS (Formerly Allied Electronics)	IRFD120PBF	0	2500	Bulk					0.720	9h
TTI Asia	IRFD120PBF	문의하기							0.760	1d
TTI Europe	IRFD120PBF	0	100	Tube						21h
element14 APAC	IRFD120PBF	0	1		1.188*	0.852*	0.673*	0.474*	0.449*	1d

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공급망

Country of OriginIsrael

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1997-07-11

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2024-11-18

LTD Date2025-05-18

설명

유통업체에서 제공한 Vishay IRFD120PBF에 대한 설명입니다.

Single N-Channel 100 V 0.27 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HexDIP

Verical

POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET, N, DIL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.3A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):270mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:DIP; No. of Pins:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:1.3A; Current Temperature:25°C; Device Marking:IRFD120PBF; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; Package / Case:DIP; Power Dissipation Pd:1.3W; Power Dissipation Pd:1.3W; Pulse Current Idm:10.4A; Row Pitch:7.62mm; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC