Vishay IRF730PBF

Name: Vishay IRF730PBF
Brand: Vishay
SKU: IRF730PBF

Transistor MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin (3+Tab) TO-220AB

$ 0.66

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	63J7380	1,000	1K					1.010	1.010	1d
Newark		IRF730PBF	1,000	1		1.350	1.250	1.050	0.980	0.960
Arrow Electronics	3	IRF730PBF	1,612	1		1.600	1.269	1.126	0.851	0.851
Verical	4	IRF730PBF	515	10			0.885	0.832	0.713	0.615
Future Electronics		IRF730PBF	1,996	40	Tube			0.520	0.500	0.465

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IHS

Datasheet7 페이지2년 전

Datasheet9 페이지14년 전

Upverter

Newark

element14 APAC

Burklin Elektronik

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공급망

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1990-01-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Vishay IRF730PBF에 대한 설명입니다.

Transistor MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin (3+Tab) TO-220AB

North Star Micro

Single N-Channel 400 V 1 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3

Future Electronics

N CHANNEL MOSFET, 400V, 5.5A TO-220; Tra; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.5A;

element14 APAC

Power MOSFET, N Channel, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-220AB, Through Hole

EBV Elektronik

74W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 38nC@ 10 V 1N 400V 1¦¸@ 3.3A,10V 5.5A 700pF@25V TO-220AB 9.01mm

UnikeyIC

Vishay N channel power MOSFET, 400 V, 5.5 A, TO-220, IRF730PBF

Burklin Elektronik

Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

Semicontronic

N Channel Mosfet, 400V, 5.5A To-220; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:400V; Continuous Drain Current Id:5.5A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: No |Vishay IRF730PBF.

Newark

MOSFET, N, 400V, 5.5A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:400V; Current, Id Cont:5.5A; Resistance, Rds On:1ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:22A; Power Dissipation:74W; Power, Pd:74W; Thermal Resistance, Junction to Case A:1.7°C/W; Voltage, Vds Max:400V

Farnell