Vishay 2N7002-T1-E3

Name: Vishay 2N7002-T1-E3
Brand: Vishay
SKU: 2N7002-T1-E3

VISHAY - 2N7002-T1-E3 - MOSFET Transistor, N Channel, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.1 V

$ 0.468

Obsolete

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics		2N7002-T1-E3	16	1		0.463	0.394	0.394	0.394	0.394
TTI Asia		2N7002-T1-E3	문의하기							0.065	3d
TTI Europe		2N7002-T1-E3	0	3K	Tape & Reel						3d
Farnell	2	2N7002-T1-E3	0	5	Cut Tape		0.551*	0.540*	0.517*	0.506*	9h
element14 APAC	2	2N7002-T1-E3	0	5	Cut Tape		0.613*	0.602*	0.577*	0.565*	22h

재고 내역

3개월 추세: -12.95%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

1개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

Vishay 2N7002-T1-E3에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

Upverter

Technical Drawing10 페이지6년 전

Newark

Farnell

Garrett

재고 내역

3개월간의 트렌드:

-12.95%

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 Vishay 2N7002-T1-E3 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
Ultra Librarian	심벌풋프린트		다운로드

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

대체 부품

이 부품

대체 부품

Vishay2N7002-T1-E3

onsemi2N7002LT1G

Price @ 1000

$ 0.468

$ 0.06

Stock

577,539

168,693,169

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-23

SOT-23-3

Drain to Source Voltage (Vdss)

60 V

Continuous Drain Current (ID)

115 mA

Threshold Voltage

2.1 V

1 V

Rds On Max

7.5 Ω

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

200 mW

225 mW

Input Capacitance

50 pF

공급망

Country of OriginIsrael

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1999-02-22

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)

LTB Date2024-12-21

LTD Date2025-06-21

설명

유통업체에서 제공한 Vishay 2N7002-T1-E3에 대한 설명입니다.

VISHAY - 2N7002-T1-E3 - MOSFET Transistor, N Channel, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.1 V

Fly-Wing Technology

Power MOSFET, N Channel, 60 V, 115 mA, 7.5 Ohm, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount

Avnet

Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R / MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23

Win Source

N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOS FET Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236

ComSIT Distribution GmbH

N Channel Mosfet, 60V, 115Ma To-236, Full Reel; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:115Ma; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Power Dissipation:200Mw Rohs Compliant: No |Vishay 2N7002-T1-E3.

Newark

MOSFET,N CH,60V,0.115A,SOT23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:115mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):7.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.1V; Power Dissipation Pd:200mW; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:115mA; Current Temperature:25°C; External Depth:2.5mm; External Length / Height:1.12mm; External Width:3.05mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Gfs Min:80mA/V; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:200mW; Power Dissipation Pd:200mW; Pulse Current Idm:800mA; SMD Marking:72; Tape Width:8mm; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:2.1V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC