STMicroelectronics STGWT30H60DFB

Name: STMicroelectronics STGWT30H60DFB
Brand: STMicroelectronics
SKU: STGWT30H60DFB

Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed

$ 1.4

Production

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Avnet	STGWT30H60DFB	600	300					1.264	1.196	10h
Newark	STGWT30H60DFB	549	1		3.590	1.840	1.610	1.480	1.480
Arrow Electronics	STGWT30H60DFB	570	1		1.091	1.091	1.053	1.034	1.034
Verical	STGWT30H60DFB	570	5			1.089	1.052	1.033	1.021
DigiKey	497-15140-5-ND	410	1	Tube	4.010	4.010	2.196	1.501	1.256

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IHS

Datasheet21 페이지6년 전

STMicroelectronics

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공급망

Country of OriginSouth Korea

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2016-02-17

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 STMicroelectronics STGWT30H60DFB에 대한 설명입니다.

Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed

STMicroelectronics

260W 60A 600V FS(Field Stop) TO-3P-3 IGBT Transistors / Modules ROHS

EBEE

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

Verical

STGWT30H60DFB, IGBT TRANSISTOR, 60 A 600 V, 3-PIN TO-3P

RS (Formerly Allied Electronics)

Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel

IHS

IGBT 600V 30A Trench Field-Stop TO-3P

RS APAC

晶体管, 晶体管, IGBT, 600V, 60A, TO-3P;

element14 APAC

IGBT, SINGLE, 600V, 60A, TO-3P; Continuous Collector Current:60A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.55V; Power Dissipation:260W; Collector Emitter Voltage Max:600V; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C RoHS Compliant: Yes

Newark