STMicroelectronics STGW60H65FB

Name: STMicroelectronics STGW60H65FB
Brand: STMicroelectronics
SKU: STGW60H65FB

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

$ 2.206

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		STGW60H65FB	393	1		6.290	4.010	3.460	3.320	3.320
DigiKey		497-14037-5-ND	226	1	Tube	5.590	5.590	3.137	2.202	1.966
TME	2	STGW60H65FB	0	1		5.994*	4.414*	4.414*	4.414*	4.414*	2d
Future Electronics	2	STGW60H65FB	0	10	Tube		2.040	2.010	1.960	1.900
RS (Formerly Allied Electronics)		STGW60H65FB	0	25	Bulk			6.340	5.700	5.700	2d

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STMicroelectronics

Datasheet16 페이지13년 전

Future Electronics

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STMicroelectronicsSTGW60H65FB

STMicroelectronicsSTGWT60H65FB

Price @ 1000

$ 2.206

$ 1.65

Stock

112,557

117,748

Authorized Distributors

Mount

Through Hole

Case/Package

TO-247-3

Collector Emitter Breakdown Voltage

650 V

Max Collector Current

80 A

Power Dissipation

375 W

Collector Emitter Saturation Voltage

2 V

Reverse Recovery Time

공급망

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2013-08-30

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 STMicroelectronics STGW60H65FB에 대한 설명입니다.

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Verical

IGBT 650V 80A 375W TO247 / IGBT Trench Field Stop 650 V 80 A 375 W Through Hole TO-247

Win Source

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed

STMicroelectronics

Igbt, Single, 650V, 80A, To-247; Dc Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On):1.6V; Power Dissipation Pd:375W; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:650V; Transistor Case Style:To-247; No. Of Pins:3Pins; Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STGW60H65FB

Newark