STMicroelectronics MJD32CT4

Name: STMicroelectronics MJD32CT4
Brand: STMicroelectronics
SKU: MJD32CT4

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin

$ 0.257

Production

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor		SKU		Min	Pkg
Future Electronics	2	MJD32CT4	7,500	2500	Tape & Reel					0.131
Avnet		MJD32CT4	5,000	2500						0.161	5d
Newark		MJD32CT4	3	5			0.673	0.451	0.311	0.311
Arrow Electronics	3	MJD32CT4	4,850	1		0.641	0.474	0.348	0.219	0.195
Verical	3	MJD32CT4	197,500	2500						0.106

재고 내역

3개월 추세: -7.69%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

1개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

STMicroelectronics MJD32CT4에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

IHS

Datasheet13 페이지14년 전

element14 APAC

Future Electronics

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

재고 내역

3개월간의 트렌드:

-7.69%

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 STMicroelectronics MJD32CT4 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
Component Search Engine	심벌풋프린트	3D	다운로드
SnapEDA	풋프린트	3D	다운로드

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

대체 부품

이 부품

대체 부품

STMicroelectronicsMJD32CT4

onsemiNJVMJD32CT4G

Price @ 1000

$ 0.257

$ 0.281

Stock

1,125,190

626,786

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

TO-252

DPAK

Polarity

PNP

Collector Emitter Breakdown Voltage

100 V

Max Collector Current

3 A

Transition Frequency

3 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

1.2 V

hFE Min

Power Dissipation

15 W

공급망

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 STMicroelectronics MJD32CT4에 대한 설명입니다.

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin

Augswan

Transistor, Bipolar, Si, PNP, Amplifier, Power, VCEO -100V, IC -3A, PD 15W, TO-252

RS (Formerly Allied Electronics)

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / TRANS PNP 100V 3A DPAK

Win Source

100V 15W 3A 10@3A4V 1.2V@3A375mA PNP +150¡Í@(Tj) TO-252-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Dasenic

100V 15W 25@3A,4V 3A PNP DPAK Bipolar (BJT) ROHS

EBEE

Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch

Component Sense

TRANSISTOR, BJT, PNP, -100V, -3A, TO-252; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 15W; DC Collector Current: 3A; DC Current Gain hFE: 50hFE; Transis

Farnell

Transistor Polarity = PNP / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) A = -3 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = -100 / DC Current Gain (hFE) = 10 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = -100 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = -5 / Operating Temperature Min. °C = -65 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Power Dissipation (Pd) W = 15 / Package Type = DPAK / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) V = -1.2

Distrelec