CAD 모델
핀 테이블
번호
카테고리
디스플레이 이름 및 기능
모델 정보
| 출처: | Renesas |
|---|---|
| 출시 날짜 | Aug 14, 2025 |
| IPC 규격 준수 | IPC-7351B |
| 스타일 가이드 개정판 | 버전 1.0 - Nov 1, 2024 |
| 데이터시트 출처 | 버전 1.00 - Jun 10, 2022 |
검증
이 부품의 스타일 가이드와 데이터시트를 기반으로 세 명의 독립적인 전자 공학 전문가가 다음을 만들었습니다.
- 심볼 및 2D 풋프린트 3가지 버전
- 3D STEP 모델 1가지 버전(STEP 형식 AP-214)
- 제조업체를 위한 색상 팔레트 구성
생성된 모든 라이브러리 파일은 레이어 매핑에 구애받지 않으며 설계에 쉽게 매핑할 수 있습니다.
생성된 심볼과 풋프린트는 다음 검사를 사용하여 비교됩니다.
심벌
자동화된 검사
- 부품 번호
- 주요 매개변수
- 패키지 코드
- 핀 이름/번호
- 핀 유형
수동 검사
- 스타일 가이드에 따른 핀 구성
풋프린트
자동화된 검사
- IPC 표준
- 실크스크린 간격
- 외곽선 여유
- 패키지 개요
- 극성 표시
- 패드 크기 및 위치 검증
3D STEP 모델
수동 검사
- 치수 검증
- 색상 팔레트 준수
- 형식 준수
- 2D 풋프린트에 대한 매핑 방향
- 2D 풋프린트에 대한 위치 검증
최종 검증 과정이 수행됩니다.
심볼과 풋프린트가 일치하는 경우: 부품이 ECAD 사용 가능으로 확인됨
심볼과 풋프린트가 일치하지 않는 경우: 수석 전자 공학 엔지니어가 모든 차이점을 검토하여 부품이 스타일 가이드 및 데이터시트 요구 사항을 충족하는지 확인
대체 부품
Price @ 1000
$ 2.766
$ 2.681
Stock
216,046
45,473
Authorized Distributors
6
5
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-263
TO-263
Drain to Source Voltage (Vdss)
-60 V
-60 V
Continuous Drain Current (ID)
-100 A
-100 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
6 mΩ
6 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
-20 V
-20 V
Power Dissipation
1.8 W
1.8 W
Input Capacitance
15 nF
15 nF
공급망
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.0095
Introduction Date2007-05-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 2 months ago)
설명
유통업체에서 제공한 Renesas NP100P06PDG-E1-AY에 대한 설명입니다.
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 100 A, 0.006 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Trans MOSFET P-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
NP100P06PDG P-Channel 60 V 7.8 mOhm 200 W 300 nC Switching MosFet - TO-263
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.0078ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
제조업체 별칭
Renesas에는 유통업체가 대체하여 사용할 수 있는 전 세계 여러 브랜드가 있습니다. Renesas는 다음 이름으로도 알려져 있습니다:
- Renesas Electronics
- Renesas Electronics America Inc
- Renesas Electronics America
- RENESA
- REN
- RENES
- RENESAS TECHNOLOGY CORP
- RENESAS TECHNOLOGY
- Renesas Electronics Corporation
- RENESAS ELECTRONICS CORP
- RENSAS
- RENASAS
- Renesas / Intersil
- RNS
- RENESAS-PB
- RENESASTEC
- RENESES
- Renesas Technology America
- Renesas Design Germany GmbH
- Renesas / IDT
- RENESASE
- RENESAS TECHNOLOGY HONG KONG
- Renesas Electronics Operations Services Limited
- RENEASAS
- RENESAS/M
기술 사양
Physical
Case/PackageTO-263
MSL1
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)-100 A
Drain to Source Resistance7.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V
Fall Time100 ns
Part FamilyNP100P06PDG
Gate to Source Voltage (Vgs)-20 V
Input Capacitance15 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation1.8 W
Rds On Max6 mΩ
Rise Time35 ns
Turn-Off Delay Time275 ns
Turn-On Delay Time28 ns
Dimensions
Height4.65 mm
Length10 mm
Width9 mm
문서
Renesas NP100P06PDG-E1-AY에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.
공식 데이터시트3년 전
규정 준수
환경 분류
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
규정 준수 정책