onsemi NTR4003NT1G

Name: onsemi NTR4003NT1G
Brand: onsemi
SKU: NTR4003NT1G

NTR4003N: Small Signal MOSFET 30V 560mA 1.5 Ohm Single N-Channel SOT-23

$ 0.065

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Future Electronics	6	NTR4003NT1G	498,000	3K	Tape & Reel					0.038
Avnet	4	58M9926	32,167	1		0.381	0.238	0.167	0.127	0.127	3d
Newark	4	NTR4003NT1G	32,167	1	Cut Tape	0.033	0.033	0.033	0.033	0.033
Verical	2	NTR4003NT1G	33,765	179					0.035	0.034
Arrow Electronics	2	NTR4003NT1G	33,765	1		0.146	0.090	0.056	0.035	0.034

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IHS

Datasheet8 페이지6년 전

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onsemiNTR4003NT1G

onsemiNTR4003NT3G

Price @ 1000

$ 0.065

Stock

26,125,821

5,069,079

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

SOT-23-3

Drain to Source Voltage (Vdss)

30 V

Continuous Drain Current (ID)

500 mA

Threshold Voltage

1.4 V

800 mV

Rds On Max

1.5 Ω

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

690 mW

Input Capacitance

21 pF

공급망

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2006-05-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

설명

유통업체에서 제공한 onsemi NTR4003NT1G에 대한 설명입니다.

NTR4003N: Small Signal MOSFET 30V 560mA 1.5 Ohm Single N-Channel SOT-23

North Star Micro

NTR4003NT1G N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 0.56 A, 30 V, 3-PIN SOT-23

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 30 V 2 Ohm 1.15 nC 0.69 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23

Future Electronics

MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-23 / Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R

Win Source

Power MOSFET, N Channel, 30 V, 560 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Surface Mount

Avnet

MOSFET-Single, N-Channel, Small Signal, SOT-23 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236

ComSIT Distribution GmbH

NFET SOT23 30V .56A 1500M; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 560µA; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 1.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 4V; Threshold Voltage Vgs: 1.4V; Power Diss

Farnell

Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:560mA; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:4V; Gate Source Threshold Voltage Max:1.4V; Power Dissipation:830mW; No. of Pins:3Pins RoHS Compliant: Yes

Newark

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) mA = 560 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 30 / ON Resistance (Rds(on)) Ohm = 1.5 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 64.2 / Rise Time ns = 47.9 / Turn-OFF Delay Time ns = 65.1 / Turn-ON Delay Time ns = 16.7 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) mW = 690

Distrelec