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onsemi NDS351N

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 1.1A, 250mΩ
Obsolete
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NDS351N
710
30m
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WS-NDS351N
6,200
290
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0.135
1d
Worldway Electronics
NDS351N
29,056
7
Tray
USD
0.091
0.089
0.085
0.084
3h
Fmall Co., Limited
NDS351N
14,220
USD
0.125
0.125
0.117
0.110
0.101
>1w
Anlinkda
NDS351N
43,703
USD
0.265
0.237
0.196
0.196
0.185
2d

데이터시트 및 문서

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IHS

Datasheet8 페이지4년 전
Datasheet7 페이지28년 전

Farnell

onsemi

Fairchild Semiconductor

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공급망

Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1994-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)

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세부 사항
InfineonIRLML9303TRPBF
-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro3 package, SOT23-3, RoHS
세부 사항
InfineonIRLML2803GTRPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 1.2A, MICRO3; Transistor Polarity:N Channel; Con
세부 사항

설명

유통업체에서 제공한 onsemi NDS351N에 대한 설명입니다.

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 1.1A, 250mΩ
onsemi
30V 1.1A 500mW 160m´Î@10V1.4A 2V@250Ã×A N Channel SOT-23(SOT-23-3) MOSFETs ROHS
Dasenic
Mosfet, N-Ch, 30V, 1.1A, Supersot-3; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:1.1A; On Resistance Rds(On):0.135Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V Rohs Compliant: Yes
Newark
MOSFET, N SOT-23; Transistor type:MOSFET; Current, Id cont:1.1A; Resistance, Rds on:0.2ohm; Case style:SOT-23 (TO-236); Current, Idm pulse:10A; Depth, external:2.5mm; Length / Height, external:1.12mm; Marking, SMD:351; Pins, No. of:3; Power dissipation:0.5W; Power, Pd:0.5W; Temperature, current:25°C; Temperature, full power rating:25°C; Termination Type:SMD; Transistor polarity:N; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds max:30V; Voltage, Vgs th max:2V; Width, external:3.05mm; Width, tape:8mm
Farnell
These N-Channel logic level enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage applications in notebook computers, portable phones, PCMCIA cards, and other battery powered circuits where fast switching, and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.
Fairchild Semiconductor

이미지

Newark
RS
Farnell
Newark
Rochester Electronics

제조업체 별칭

onsemi에는 유통업체가 대체하여 사용할 수 있는 전 세계 여러 브랜드가 있습니다. onsemi는 다음 이름으로도 알려져 있습니다:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

부품 번호 별칭

이 부품은 다음과 같은 대체 부품 번호로 알려져 있을 수 있습니다.

  • NDS351N.