onsemi MMBTH10

Name: onsemi MMBTH10
Brand: onsemi
SKU: MMBTH10

MMBTH10 Series NPN 225 mW 25 V 50 mA SMT RF Transistor - SOT-23-3

$ 0.019

Obsolete

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor		SKU		Min	Pkg
Verical	2	MMBTH10	461,354	298					0.019	0.019
Arrow Electronics		MMBTH10	461,354	1		0.019	0.019	0.019	0.019	0.019
Rochester Electronics	2	MMBTH10	87,000					0.040	0.033	0.029	4h
Farnell	2	MMBTH10...	0	5	Cut Tape		0.203*	0.081*	0.039*	0.032*	1d
Component Stockers USA		MMBTH10	61,396			0.030	0.030	0.030	0.030	0.030	18h

재고 내역

3개월 추세: +0.00%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

1개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

onsemi MMBTH10에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

IHS

Datasheet6 페이지0년 전

Datasheet0 페이지0년 전

Datasheet1 페이지25년 전

Upverter

Fairchild Semiconductor

onsemi

Farnell

재고 내역

3개월간의 트렌드:

+0.00%

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 onsemi MMBTH10 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
Component Search Engine	심벌풋프린트	3D	다운로드
EE Concierge	심벌풋프린트
SnapEDA	심벌풋프린트	3D	다운로드
Ultra Librarian	심벌풋프린트		다운로드

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

대체 부품

이 부품

대체 부품

onsemiMMBTH10

onsemiMMBTH10LT1G

Price @ 1000

$ 0.019

$ 0.039

Stock

6,223,141

6,363,707

Authorized Distributors

Collector Emitter Breakdown Voltage

25 V

Continuous Collector Current

50 mA

Collector Base Voltage (VCBO)

30 V

Frequency

650 MHz

Max Power Dissipation

225 mW

300 mW

Transition Frequency

650 MHz

Case/Package

SOT-23

SOT-23-3

Mount

Surface Mount

Polarity

NPN

Gain Bandwidth Product

650 MHz

공급망

Country of OriginPhilippines

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95

Introduction Date1989-01-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)

LTB Date2018-06-22

LTD Date2018-12-22

Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)

설명

유통업체에서 제공한 onsemi MMBTH10에 대한 설명입니다.

MMBTH10 Series NPN 225 mW 25 V 50 mA SMT RF Transistor - SOT-23-3

Future Electronics

TRANSISTOR, RF, NPN, 25V, 650MHZ, SOT-23; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 25V; Transition Frequency ft: 650MHz; Power Dissipation Pd: 225mW; DC Collector Current: 50mA; DC Current Gain hFE: 60hFE;

Farnell

Transistor; Transistor Type:RF Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Power Dissipation, Pd:0.225W; DC Current Gain Min (hfe):60; Package/Case:SOT-323; C-E Breakdown Voltage:25V; DC Collector Current:0.05A; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes

Newark

NPN RF Transistor This device is designed for use in low noise UHF/VHF amplifiers, with collector currents in the 100 mA to 20 mA range in common emitter or common base mode of operations, and in low frequency drift, high output UHF oscillators. Sourced from Process 42.

Fairchild Semiconductor