onsemi MJD122G

Name: onsemi MJD122G
Brand: onsemi
SKU: MJD122G

Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin

$ 0.51

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	MJD122G	8,499	1		0.449	0.420	0.414	0.414	0.414	2d
Newark	2	MJD122G	312	1		1.240	1.140	1.140	0.525	0.507
Verical	5	MJD122G	245	16				0.500	0.479	0.388
Arrow Electronics	3	MJD122G	245	1		0.979	0.606	0.500	0.500	0.500
Future Electronics	2	MJD122G	7,900	30	Tube			0.620	0.600	0.570

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Upverter

Datasheet7 페이지17년 전

Technical Drawing1 페이지3년 전

Datasheet8 페이지14년 전

Datasheet9 페이지9년 전

IHS

onsemi

Farnell

element14 APAC

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대체 부품

onsemiMJD122G

onsemiMJD122T4G

Price @ 1000

$ 0.51

$ 0.415

Stock

419,157

3,536,659

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

DPAK

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

100 V

Max Collector Current

8 A

Transition Frequency

4 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

4 V

2 V

hFE Min

100

Power Dissipation

1.75 W

20 W

공급망

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

설명

유통업체에서 제공한 onsemi MJD122G에 대한 설명입니다.

Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin

IHS

8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor

onsemi

TRANSISTOR, DARLINGTON, SI, NPN, POWER, SWITCH, VO 100VDC, VI 5VDC, IO 8ADC, PD 20W

RS (Formerly Allied Electronics)

MJD Series 100 V 8 A NPN Complementary Darlington Power Transistor - TO-252-3

Future Electronics

Darlington Transistor, NPN, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pins

Avnet

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube / TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK

Win Source

TRANSISTOR, DARLINGTON, 100V, 8A, D-PAK; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 1.75W; DC Collector Current: 8A; DC Current Gain hFE: 2500hFE; Tran

Farnell

Transistor Polarity = NPN / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) A = 8 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 100 / DC Current Gain (hFE) = 100 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 100 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 5 / Operating Temperature Min. °C = -65 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Power Dissipation (Pd) W = 20 / Package Type = DPAK / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tube / Automotive Qualification Standard = AEC-Q101 / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) V = 4 / Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat)) V = 4.5 / Reflow Temperature Max. °C = 260

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