onsemi MBRM120ET3G

Name: onsemi MBRM120ET3G
Brand: onsemi
SKU: MBRM120ET3G

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-216AA

$ 0.167

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	MBRM120ET3G	51,759	5	Cut Tape		0.354	0.246	0.147	0.147
Arrow Electronics		MBRM120ET3G	856	1		0.577	0.338	0.236	0.141	0.141
Verical		MBRM120ET3G	856	54				0.236	0.141	0.141
DigiKey	3	MBRM120ET3GOSCT-ND	16,219	1	Cut Tape	0.660	0.405	0.259	0.175	0.140
Onlinecomponents.com		MBRM120ET3G	0	250	Bulk				0.196	0.136

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Master Electronics

Datasheet6 페이지14년 전

IHS

Newark

iiiC

Farnell

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onsemiMBRM120ET3G

onsemiMBRM120ET1G

Price @ 1000

$ 0.167

$ 0.282

Stock

3,151,493

2,210,300

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

Forward Voltage

595 mV

360 mV

Reverse Voltage (DC)

Forward Current

1 A

Max Reverse Leakage Current

10 µA

Reverse Recovery Time

Capacitance

공급망

Country of OriginMalaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.10.00.80

Introduction Date1999-01-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

설명

유통업체에서 제공한 onsemi MBRM120ET3G에 대한 설명입니다.

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-216AA

IHS

MBRM120E Series 1 A 20 V Schottky Barrier Rectifier - POWERMITE-2

Future Electronics

Rectifier Diode Schottky 20V 1A 2-Pin(1+Tab) Power Mite T/R

Verical

ON SEMI MBRM120ET3G, SMT SCHOTTKY DIODE, 20V 1A, 2-PIN POWERMITE

RS (Formerly Allied Electronics)

DIODE, SCHOTTKY, 1A, POWERMITE; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 20V; Forward Current If(AV): 1A; Diode Configuration: Single; Diode Case Style: DO-216AA; No. of Pins: 2Pins; Forward Voltage VF Max: 530mV; Forward Surge Current Ifsm Max: 50A; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: MBRM1 Series; Automotive Qualification Standard: AEC-Q101; SVHC: Lead (27-Jun-2018); Breakdown Voltage Max: 20V; Current Ifsm: 50A; Current Ir Max: 10µA; Diode Type: Schottky; Forward Voltage: 530mV; Junction Temperature Tj Max: 150°C; Operating Temperature Min: -65°C; Operating Temperature Range: -65°C to +150°C; Semiconductor Technology: Si; Termination Type: Surface Mount Device

Farnell