onsemi FGL60N100BNTD

IGBT 1000V 60A 180W TO264 / Trans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 180000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Obsolete
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Technical Drawing1 페이지6년 전

Newark

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onsemi

Fairchild Semiconductor

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-03-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)

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설명

유통업체에서 제공한 onsemi FGL60N100BNTD에 대한 설명입니다.

IGBT 1000V 60A 180W TO264 / Trans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 180000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Win Source
FGL60N100 Series 1000 V 60 A Through Hole NPT Trench IGBT - TO-264-3L
Future Electronics
TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN+DIODE,1kV V(BR)CES,60A I(C),TO-264
Newark
IGBT, NPT, TO-264; DC Collector Current:60A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.9V; Power Dissipation Pd:180W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1kV; Transistor Case Style:TO-264; No. of Pins:3Pins; Operatin
element14 APAC
Using Fairchild's proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1000V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. This device offers the optimum performance for hard switching application such as UPS, welder applications.
Fairchild Semiconductor
IGBT, NPT, TO-264; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vces:1000V; Current Ic Continuous a Max:60A; Voltage, Vce Sat Max:2.9V; Power Dissipation:180W; Case Style:TO-264; Termination Type:Through Hole; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1000V; Current Ic @ Vce Sat:60A; Current, Icm Pulsed:120A; Power, Pd:180W; Time, Rise:320ns
Farnell
Trench insulated gate bipolar transistors (IGBTs) with NPT technology show outstanding performance in conduction and switching characteristics as well as enhanced avalanche ruggedness. These devices are well suited for Induction Heating ( I-H ) applications Product Highlights: High Speed Switching Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.5 V @ IC = 60A High Input Impedance Built-in Fast Recovery Diode
North Star Micro

이미지

TME
Augswan
Newark
Farnell
iiiC
Future Electronics

제조업체 별칭

onsemi에는 유통업체가 대체하여 사용할 수 있는 전 세계 여러 브랜드가 있습니다. onsemi는 다음 이름으로도 알려져 있습니다:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

부품 번호 별칭

이 부품은 다음과 같은 대체 부품 번호로 알려져 있을 수 있습니다.

  • FGL60N100BNTD.