onsemi FDMC6675BZ

Name: onsemi FDMC6675BZ
Brand: onsemi
SKU: FDMC6675BZ

P-Channel Power Trench® MOSFET -30V, -20A, 14.4mΩ

$ 0.508

NRND

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	FDMC6675BZ	42,000	2084						0.420	7h
Verical	5	FDMC6675BZ	354	13				0.178	0.175	0.175
Arrow Electronics		FDMC6675BZ	2,985	1		1.387	0.684	0.570	0.483	0.483
Rochester Electronics		FDMC6675BZ	204,553					0.592	0.491	0.438	4h
DigiKey	3	FDMC6675BZCT-ND	2,558	1	Cut Tape	1.870	1.187	0.796	0.574	0.574

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IHS

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Datasheet0 페이지0년 전

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Master Electronics

element14 APAC

onsemi

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2008-12-12

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE, NOT REC (Last Updated: 5 years ago)

설명

유통업체에서 제공한 onsemi FDMC6675BZ에 대한 설명입니다.

P-Channel Power Trench® MOSFET -30V, -20A, 14.4mΩ

onsemi

P-Channel 30 V 20 A 14.4 mOhm 36 W SMT MOSFET - PowerWDFN-8

Future Electronics

Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R

Richardson RFPD

Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 30V, 0.0144ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

2.3W(Ta),36W(Tc) 25V 3V@ 250¦ÌA 65nC@ 10 V 1P 30V 14.4m¦¸@ 9.5A,10V 9.5A,20A 2.865nF@15V MLP-8 3.3mm*3.3mm*730¦Ìm

UnikeyIC

The FDMC6675BZ has been designed to minimize losses in load switch applications. Advancements in both silicon and package technologies have been combined to offer the lowest RDS(on) and ESD protection.

Fairchild Semiconductor

MOSFET, P CH, 30V, 20A, MLP 3.3X3.3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-20A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.0107ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1.9V; Power Dissipation Pd:36W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:MLP; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)

Farnell