onsemi FDC6321C

Name: onsemi FDC6321C
Brand: onsemi
SKU: FDC6321C

Transistor MOSFET N P Channel 25 Volt 0.68 Amp-0.46 Amp 6-Pin SuperSOT Tape and Reel

$ 0.248

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Future Electronics	4	FDC6321C	75,000	3K	Tape & Reel					0.191
Avnet	2	FDC6321C	3,000	3K						0.190	13h
Newark	3	FDC6321C	10,423	5	Cut Tape		0.576	0.374	0.331	0.331
Arrow Electronics	3	FDC6321C	5,792	1		0.292	0.263	0.231	0.221	0.217
Verical	3	FDC6321C	48,000	3K						0.197

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공급망

Country of OriginPhilippines

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95

Introduction Date1997-06-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

설명

유통업체에서 제공한 onsemi FDC6321C에 대한 설명입니다.

Transistor MOSFET N P Channel 25 Volt 0.68 Amp-0.46 Amp 6-Pin SuperSOT Tape and Reel

Jameco

Dual N/P Channel 25 V 0.33 O 0.7 W Surface Mount Digital Fet - SOT-23-6

Future Electronics

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.00068A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

These dual N & P Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors in load switching applications. Since bias resistors are not required this dual digital FET can replace several digital transistors with different bias resistors.

Fairchild Semiconductor

MOSFET, DUAL, NP, SUPERSOT-6; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:460mA; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):1.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:800mV; Power Dissipation Pd:900mW; Transistor Case Style:SuperSOT; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Cont Current Id N Channel 2:2.7A; Cont Current Id P Channel:1.6A; Current Id Max:680mA; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:2; On State Resistance N Channel Max:680mohm; On State Resistance P Channel Max:450mohm; Package / Case:SuperSOT-6; Power Dissipation Pd:900mW; Power Dissipation Pd:900mW; Pulse Current Idm:1.5A; SMD Marking:FDC6321C; Termination Type:SMD; Uni / Bi Directional Polarity:NP; Voltage Vds:25V; Voltage Vds Typ:25V; Voltage Vgs Max:800mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage Vgs th Max:1.5V

element14 APAC