onsemi BC807-16LT1G

Name: onsemi BC807-16LT1G
Brand: onsemi
SKU: BC807-16LT1G

Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount

$ 0.04

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	BC807-16LT1G	2,900	1	Cut Tape	0.166	0.102	0.065	0.044	0.044
Verical	3	BC807-16LT1G	246,000	3K						0.027
Arrow Electronics	2	BC807-16LT1G	11,796	1		0.140	0.093	0.059	0.035	0.030
Future Electronics	6	BC807-16LT1G	133	1	Cut Tape	0.152	0.152	0.087	0.066	0.042
Master Electronics		BC807-16LT1G	45,000	3K						0.025

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IHS

Datasheet12 페이지3년 전

Upverter

Farnell

element14 APAC

Newark

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onsemiBC807-16LT1G

Diodes Inc.BC807-16-7-F

Price @ 1000

$ 0.04

$ 0.066

Stock

4,898,176

2,027,308

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-23-3

SOT-23

Polarity

PNP

Collector Emitter Breakdown Voltage

45 V

Max Collector Current

500 mA

Transition Frequency

100 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

700 mV

-700 mV

hFE Min

100

Power Dissipation

300 mW

310 mW

공급망

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1991-03-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

설명

유통업체에서 제공한 onsemi BC807-16LT1G에 대한 설명입니다.

Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount

Avnet Silica

Bipolar Transistors (BJT); BC807-16LT1G; ON SEMICONDUCTOR; PNP; 3; 45 V; 500 mA

Maritex

45V 300mW 100@100mA,1V 500mA PNP SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS

Dasenic

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236

IHS

Trans GP BJT PNP 45V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Rotakorn

General Purpose Transistors PNP Ic=500mA Vceo=45V hfe=100~250 P=300mW SOT23

HQonline

BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;

Farnell

BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -45V, SOT-23; T; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -45V, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-45V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector

element14 APAC

Transistor Polarity = PNP / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) mA = 500 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 45 / DC Current Gain (hFE) = 100 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 50 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 5 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency MHz = 100 / Power Dissipation (Pd) mW = 225 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) mV = 700 / Reflow Temperature Max. °C = 260

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