Nexperia PDTC124ET,215

Name: Nexperia PDTC124ET,215
Brand: Nexperia
SKU: PDTC124ET,215

PDTC124ET Series 50 V 100 mA SMT NPN Resistor-Equipped Transistor - SOT-23

$ 0.052

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	PDTC124ET,215	379	1	Cut Tape	0.261	0.166	0.104	0.104	0.104
TME	2	PDTC124ET.215	0	1		0.130	0.085	0.052	0.052	0.052	22h
Avnet		PDTC124ET,215	0	3K						0.020	1d
Farnell	3	PDTC124ET,215	0	5	Cut Tape		0.295*	0.111*	0.086*	0.075*	9h
element14 APAC	3	PDTC124ET,215	0	5	Cut Tape		0.252*	0.091*	0.082*	0.061*	11h

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element14 APAC

Datasheet18 페이지14년 전

IHS

Upverter

Nexperia

Newark

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NexperiaPDTC124ET,215

NexperiaPDTC124ET,235

Price @ 1000

$ 0.052

$ 0.031

Stock

1,286,364

3,723,254

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

TO-236-3

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

50 V

Max Collector Current

100 mA

Transition Frequency

100 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

300 mV

hFE Min

Power Dissipation

250 mW

공급망

Country of OriginMainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1997-09-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)

설명

유통업체에서 제공한 Nexperia PDTC124ET,215에 대한 설명입니다.

PDTC124ET Series 50 V 100 mA SMT NPN Resistor-Equipped Transistor - SOT-23

Future Electronics

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

IHS

50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor; R1 = 22 kΩ, R2 = 22 kΩ

Nexperia

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R

ComSIT Distribution GmbH

TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB / Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 mW Surface Mount TO-236AB

Win Source

BRT TRANSISTOR, NPN, 50V, 100MA, 22KOHM / 22KOHM, 3-SOT-23; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:22kohm; Base-Emitter Resistor R2:22kohm; Resistor Ratio, R1 / R2:1 ;RoHS Compliant: Yes

Newark

TRANSISTOR, DIGITAL, SOT-23; Digital Transistor Polarity: Single NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current Ic: 100mA; Base Input Resistor R1: 22kohm; Base-Emitter Resistor R2: 22kohm; Resistor Ratio, R1 / R2: -; RF Transistor Case: SOT-23; No. of Pins: 3 Pin; Product Range: PDTC124E Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 150mV; Continuous Collector Current Ic Max: 100mA; Current Ic Continuous a Max: 100mA; Current Ic hFE: 0mA; DC Collector Current: 100mA; DC Current Gain hFE: 60hFE; Full Power Rating Temperature: 25°C; Hfe Min: 56; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Operating Temperature Min: -65°C; Operating Temperature Range: -65°C to +150°C; Power Dissipation Pd: 250mW; Power Dissipation Ptot Max: 250mW; Resistance R1: 22kohm; Resistance R2: 22kohm; Transistor Case Style: SOT-23; Transistor Polarity: NPN; Transistor Type: Bias Resistor (BRT); Voltage Vcbo: 50V

Farnell