Microchip VN2106N3-G

Name: Microchip VN2106N3-G
Brand: Microchip
SKU: VN2106N3-G

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs | MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3

$ 0.368

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		VN2106N3-G	238	1		0.220	0.220	0.220	0.220	0.220
Avnet	2	53Y4320	238	1		0.515	0.474	0.381	0.381	0.381	2d
Future Electronics		VN2106N3-G	1,000	1K	Bag				0.300	0.290
Onlinecomponents.com		VN2106N3-G	4,618	100	Bulk			0.381	0.365	0.357
Master Electronics		VN2106N3-G	4,618	100				0.381	0.365	0.357

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공급망

Projected EOL Date2034-05-29

Country of AssemblyPhilippines, Taiwan

Country of FabricationUnited States of America

Country of OriginPhilippines, Taiwan

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.0095

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)

Manufacturer Lifecycle StatusREL (Last Updated: 1 day ago)

설명

유통업체에서 제공한 Microchip VN2106N3-G에 대한 설명입니다.

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs | MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3

Win Source

Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag

Verical

D-Mosfet, N-Ch, 0.3A, 60V, To-92-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:300Ma; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(On):3Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.4V; Power Rohs Compliant: Yes |Microchip Technology VN2106N3-G

Newark

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) mA = 300 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 60 / ON Resistance (Rds(on)) Ohm = 4 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 8 / Rise Time ns = 8 / Turn-OFF Delay Time ns = 9 / Turn-ON Delay Time ns = 5 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = TO-92 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Bag / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 1

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