Infineon SPD15P10PGBTMA1

Name: Infineon SPD15P10PGBTMA1
Brand: Infineon
SKU: SPD15P10PGBTMA1

Single P-Channel 100 V 240 mOhm 37 nC SIPMOS® Power Mosfet - DPAK

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NRND

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Arrow Electronics		SPD15P10PGBTMA1	2,300	1		0.609	0.609	0.609	0.609	0.609
DigiKey	2	SPD15P10PGBTMA1CT-ND	1,031	1	Cut Tape	2.180	1.396	0.948	0.729	0.729
Rochester Electronics		SPD15P10PGBTMA1	2,500								16h
Future Electronics		SPD15P10PGBTMA1	0	2500	Tape & Reel					0.575

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공급망

Country of OriginAustria, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2006-11-13

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon SPD15P10PGBTMA1에 대한 설명입니다.

Single P-Channel 100 V 240 mOhm 37 nC SIPMOS® Power Mosfet - DPAK

Future Electronics

Trans MOSFET P-CH 100V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Verical

Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

Semicontronic

MOSFET, P-CH, 100V, 15A, TO252-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-15A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):0.16ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-3V; Power Dissipation Pd:128W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +175°C

Farnell

Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.

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