Infineon IPD65R225C7ATMA1

Name: Infineon IPD65R225C7ATMA1
Brand: Infineon
SKU: IPD65R225C7ATMA1

MOSFET Transistor, N Channel, 11 A, 650 V, 0.199 ohm, 10 V, 3.5 V

$ 1.061

Production

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		IPD65R225C7ATMA1	2,500	2500						0.922	1d
Newark		IPD65R225C7ATMA1	2,334	1		2.900	1.870	1.290	1.060	1.060
Arrow Electronics	3	IPD65R225C7ATMA1	4,882	1		1.069	1.069	1.069	1.069	1.069
Future Electronics	2	IPD65R225C7ATMA1	10,000	2500	Tape & Reel					1.010
Rochester Electronics		IPD65R225C7ATMA1	6,080					1.200	0.996	0.888	3h

재고 내역

3개월 추세: +29.11%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

0개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

Infineon IPD65R225C7ATMA1에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

Upverter

Datasheet15 페이지0년 전

IHS

재고 내역

3개월간의 트렌드:

+29.11%

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 Infineon IPD65R225C7ATMA1 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
Component Search Engine	심벌풋프린트	3D	다운로드
EE Concierge	심벌풋프린트
SnapEDA	풋프린트		다운로드

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

공급망

Country of OriginGermany, Mainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2013-04-18

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IPD65R225C7ATMA1에 대한 설명입니다.

MOSFET Transistor, N Channel, 11 A, 650 V, 0.199 ohm, 10 V, 3.5 V

Newark

Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 650V, 0.225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

IHS

MOSFET, N-CH, 650V, 11A, TO-252-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 11A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.199ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.5V;

Farnell

Infineon’s CoolMOS™ C7 superjunction MOSFET series is a revolutionary step forward in technology, providing the worlds’s lowest RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range.

Infineon