Infineon IRLR2703PBF

Name: Infineon IRLR2703PBF
Brand: Infineon
SKU: IRLR2703PBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 30V; Rds(on) 0.045 Ohm; Id 23A; D-pak (TO-252AA); Pd 45W

$ 0.337

Obsolete

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor	SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	IRLR2703PBF	315					0.407	0.337	0.301	1h
RS (Formerly Allied Electronics)	IRLR2703PBF	0	1200	Bulk					0.870	18h
Farnell	IRLR2703PBF	0	1		0.930*	0.930*	0.645*	0.645*	0.645*	1h
Win Source	WS-IRLR2703PBF	20	75				0.701	0.467	0.467	3h
Worldway Electronics	IRLR2703PBF	10,864	7	Tube		0.101	0.098	0.093	0.093	1h

재고 내역

3개월 추세: +0.00%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

1개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

Infineon IRLR2703PBF에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

IHS

Datasheet12 페이지21년 전

Datasheet11 페이지21년 전

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

DigiKey

재고 내역

3개월간의 트렌드:

+0.00%

대체 부품

이 부품

대체 부품

InfineonIRLR2703PBF

InfineonIRLR2703TRPBF

Price @ 1000

$ 0.337

$ 0.433

Stock

149,745

463,397

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

DPAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

30 V

Continuous Drain Current (ID)

20 A

Threshold Voltage

1 V

Rds On Max

45 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

16 V

Power Dissipation

38 W

Input Capacitance

450 pF

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2004-03-04

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRLR2703PBF에 대한 설명입니다.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.045Ohm;ID 23A;D-Pak (TO-252AA);PD 45W

RS (Formerly Allied Electronics)

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS

Infineon SCT

HEXFET Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

ComSIT Distribution GmbH

Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; Logic Level

Infineon

MOSFET, N, 30V, 22A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:22A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):45mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V; Power Dissipation Pd:38W; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D-PAK; Current Id Max:23A; Junction to Case Thermal Resistance A:3.3°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:45mohm; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:38W; Power Dissipation Pd:38W; Pulse Current Idm:96A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:1V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Min:1V

element14 APAC