Infineon IRLML9301TRPBF

Name: Infineon IRLML9301TRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRLML9301TRPBF

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 0.064ohm; 1.3W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23

$ 0.147

EOL

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	IRLML9301TRPBF	6,000	3K						0.065	10h
Newark		IRLML9301TRPBF	3,185	1	Cut Tape	0.517	0.306	0.220	0.157	0.157
Future Electronics	2	IRLML9301TRPBF	900,000	3K	Tape & Reel					0.072
Rochester Electronics		IRLML9301TRPBF	393,955					0.090	0.075	0.067	7h
Arrow Electronics	3	IRLML9301TRPBF	46,338	1		0.473	0.267	0.186	0.125	0.080

재고 내역

3개월 추세: -2.08%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

0개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

Infineon IRLML9301TRPBF에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

Newark

Datasheet11 페이지14년 전

element14 APAC

iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

재고 내역

3개월간의 트렌드:

-2.08%

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 Infineon IRLML9301TRPBF 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
Component Search Engine	심벌풋프린트	3D	다운로드
EE Concierge	심벌풋프린트
SnapEDA	심벌풋프린트	3D	다운로드

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

공급망

Country of OriginIsrael, Mainland China, Philippines, Thailand

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2010-05-27

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 week ago)

LTB Date2026-06-30

LTD Date2027-12-31

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRLML9301TRPBF에 대한 설명입니다.

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 0.064ohm; 1.3W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23

Maritex

-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro3 package, SOT23-3, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R / MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT-23-3

Win Source

Power MOSFET, P Channel, 30 V, 3.6 A, 0.064 ohm, SOT-23, Surface Mount

Avnet

MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SOT-23 Polarity: P Power dissipation: 1.3 W

Distrelec

Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 30V, 0.064ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB

Semicontronic

P Channel, MOSFET, -30V, -3.6 A, SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.6A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.064ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1.3V ;RoHS Compliant: Yes

Newark

The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Infineon