Infineon IRLL2705TRPBF

Name: Infineon IRLL2705TRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRLL2705TRPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 55V; Rds(on) 0.04 Ohm; Id 3.8A; SOT-223; Pd 1W; Vgs +/-16V; -55

$ 0.403

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	3	IRLL2705TRPBF	27,500	2500						0.211	22h
Newark	2	IRLL2705TRPBF	1,388	1	Cut Tape	1.270	0.848	0.601	0.450	0.450
Rutronik		TMOSS6794	2,500	2500						0.254	3h
Rochester Electronics		IRLL2705TRPBF	500					0.319	0.265	0.236	20h
Arrow Electronics	2	IRLL2705TRPBF	11,961	1		0.944	0.586	0.462	0.339	0.238

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Newark

Datasheet9 페이지22년 전

Datasheet10 페이지22년 전

element14 APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

iiiC

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공급망

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRLL2705TRPBF에 대한 설명입니다.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.04Ohm;ID 3.8A;SOT-223;PD 1W;VGS +/-16V;-55

RS (Formerly Allied Electronics)

Power MOSFET, N Channel, 55 V, 5.2 A, 40 Milliohms, SOT-223 (TO-261AA), 4 Pins, Surface Mount

EBV Elektronik

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package, SOT223-4, RoHS

Infineon SCT

Single N-Channel 55 V 0.065 Ohm 48 nC HEXFET® Power Mosfet - SOT-223

Future Electronics

IRLL2705TRPBF,MOSFET, 55V, 3.8 A, 40 MOHM, 32 NC QG, LOGIC L

Jameco

HEXFET Power MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor

ComSIT Distribution GmbH

Trans MOSFET N-CH 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Pb free

Avnet Japan

Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 55V, 0.051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA

IHS

Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:55V; Continuous Drain Current Id:3.8A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V; Power Dissipation:1W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRLL2705TRPBF.

Newark

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

Infineon

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 3.8 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 55 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 40 / Gate-Source Voltage V = 16 / Fall Time ns = 22 / Rise Time ns = 12 / Turn-OFF Delay Time ns = 35 / Turn-ON Delay Time ns = 6.2 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-223 / Pins = 4 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 2.1

Distrelec