Infineon IRL1404ZPBF

Name: Infineon IRL1404ZPBF
Brand: Infineon
SKU: IRL1404ZPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 40V; Rds(on) 2.5MILLIOHMS; Id 200A; TO-220AB; Pd 230W; -55DE

$ 1.15

Obsolete

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics		IRL1404ZPBF	6	1		0.879	0.879	0.879	0.879	0.879
Rochester Electronics	2	IRL1404ZPBF	1,720					1.390	1.150	1.030	10h
RS (Formerly Allied Electronics)		IRL1404ZPBF	0	2	Bulk		3.150	3.000	3.000	3.000	2h
Farnell		IRL1404ZPBF	0	1		2.934*	2.499*	1.793*	1.453*	1.453*	1d
Verical	3	IRL1404ZPBF	931	216					1.438	1.288

재고 내역

3개월 추세: -3.80%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

1개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

Infineon IRL1404ZPBF에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

IHS

Datasheet13 페이지13년 전

Datasheet12 페이지13년 전

Newark

element14 APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

DigiKey

재고 내역

3개월간의 트렌드:

-3.80%

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 Infineon IRL1404ZPBF 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
EE Concierge	심벌풋프린트
SnapEDA	풋프린트		다운로드

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

대체 부품

이 부품

대체 부품

InfineonIRL1404ZPBF

InfineonAUIRL1404Z

Price @ 1000

$ 1.15

$ 1.34

Stock

437,501

115,217

Authorized Distributors

Mount

Through Hole

Case/Package

TO-220AB

TO-220-3

Drain to Source Voltage (Vdss)

40 V

Continuous Drain Current (ID)

75 A

160 A

Threshold Voltage

2.7 V

1.4 V

Rds On Max

3.1 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

16 V

Power Dissipation

230 W

200 W

Input Capacitance

5.08 nF

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2003-10-28

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2025-03-31

LTD Date2025-09-30

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRL1404ZPBF에 대한 설명입니다.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 2.5Milliohms;ID 200A;TO-220AB;PD 230W;-55de

RS (Formerly Allied Electronics)

40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS

Infineon SCT

Single N-Channel 40 V 5.9 mOhm 110 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

Avnet

Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

MOSFET, N, 40V, 200A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:200A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):3.1mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.7V; Power Dissipation Pd:230W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:75A; Junction to Case Thermal Resistance A:0.65°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:3.1mohm; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:230W; Power Dissipation Pd:230W; Pulse Current Idm:790A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:40V; Voltage Vgs Max:2.7V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.7V

element14 APAC

The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Infineon